在(zài)雙向直流電源突發模式下,功率管損耗主要包括導(dǎo)通損耗(hào)、開關損耗(開通損(sǔn)耗(hào)和關斷損(sǔn)耗)、死(sǐ)區時間損耗、驅動損耗等,以下(xià)是具體計算方法及分析:
導通(tōng)損耗是(shì)指(zhǐ)功率管在(zài)導(dǎo)通狀(zhuàng)態下,由於導通電阻而產生的功率損耗。在雙向直流電源中,功率管(guǎn)(如IGBT或MOSFET)在導通時,其漏源電流(IDS(on))會在導通電阻(RDS(on))上產生(shēng)壓降,從而產生導通損耗。導通損耗的計算公式為:
公式:
參(cān)數(shù)說明:
計算要點:
開關損耗包(bāo)括開通損耗和關(guān)斷損耗,是由於功率(lǜ)管在開(kāi)關過程中,電壓和電流的交疊而產生(shēng)的損耗。
開通損耗:
關斷損(sǔn)耗(hào):
計算要點:
死區時間損耗是指在死區時間內,由於低邊開(kāi)關(MOSFET)體二(èr)極管的正向電壓和負載(zǎi)電流而產(chǎn)生的損耗。在同步整流式DC/DC轉換器中,為了避免直通電(diàn)流,會設(shè)置一段死區時間,在這段時間內兩邊的開關都是OFF的(de)。然而,實際的開關是MOSFET,其中存在被稱為“體二極管”的寄生二極管。在死區時間內,低(dī)邊(biān)MOSFET的體二極管相(xiàng)對(duì)於負載電流是正向的(de),電流通過這個體二極管流向負載(zǎi),從而產生損耗。
計算公式(shì):(具體公式可能因電(diàn)路架構和器件參數而異)
參數說明:
計算要(yào)點:
驅動損耗是指柵(shān)極接受驅動電源進行驅(qū)動時(shí)產生的(de)損耗。在雙向直流(liú)電源中,功率管的柵極需要接受(shòu)驅動電源提供的電壓和電流來(lái)控製其開關狀態。驅動損(sǔn)耗的計算公式為:
公式:
參(cān)數說(shuō)明:
計算要點: